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来源：华尔街见闻
据摩根士丹利最新报告警告，由人工智能（AI）驱动的半导体存储行业狂欢正接近拐点，内存合同价格预计将于第四季度见顶，标志着本轮产业周期正在发生深刻转变。
据追风交易台，摩根士丹利亚洲及欧洲科技研究主管Shawn Kim在7月21日发布的报告中表示，市场对存储制造商的盈利上调动能正在显著减弱，数据显示净盈利上调率已从92%的峰值回落至77%。这一早期信号表明，盈利升级周期正在失去动力，市场对存储行业盈利的定价正回归理性，而非此前的狂热状态。
受此影响，行业巨头的估值已从近期高点大幅回撤。SK海力士的一年期远期每股收益近期出现下滑，其市净率回落至2.5倍，三星的市净率则降至1.7倍。尽管估值仍高于长期平均水平，但投资者已开始对见顶的增长率及潜在的利润收缩做出反应。
与此同时，第二季度DRAM和NAND的库存水平出现回升，主要由内存模组厂商驱动。尽管周期变化率正在见顶，但摩根士丹利分析师认为，本轮存储周期将走向拉长，而非直接崩溃。
AI资本开支仍强，但不能直接推导出存储价格持续上行
AI基础设施投入是大摩三项核心判断中最为积极的一项，也是支撑本轮存储景气周期拉长的主要依据。
报告的观察重点不只是模型发布数量，而是头部大模型的训练与推理强度、资金来源、年化经常性收入，以及超大规模云厂商的资本开支走向。其中，2026年二季度的超大规模资本开支被视为更关键的验证节点。
然而，AI需求强劲与存储价格持续上行之间存在重要逻辑断层。基础设施开始变现，不等于算力已经过剩；模型能力提升、价格下降，也不自动意味着云厂商会无限上修资本开支。真正决定存储需求斜率的，仍是云厂商是否将资金持续投向算力、网络与数据中心基础设施。
价格拐点的信号，先出现在库存与盈利预期
存储价格在2026年四季度见顶的判断，并非仅凭价格曲线外推，而是基于多个维度信号的叠加印证。
首先是价格同比增速下行。DRAM合约价格同比增速已从周期高位回落，而市场对存储股的远期市净率并未同步大幅扩张，意味着资金并未以“新一轮永久高盈利”为前提给行业定价。
其次是库存的方向性变化。二季度DRAM和NAND库存均有所抬升，主要由大型模组厂带动。库存回升本身未必意味着下游需求恶化，但在价格同比增速已经下行的背景下，模组端库存上升会放大市场对后续去库存压力的敏感度。
再次是盈利预期动能的衰减。净上调盈利预期的比例虽仍处于正值区间，但已从92%的峰值降至77%，一致预期继续上修的空间正在收窄。SK海力士未来一年EPS的近期回落，则表明市场已开始消化下一阶段盈利增速放缓的可能性。
三重信号同时出现时，市场交易的重点往往会从“利润还能涨多少”转向“利润增速还能维持多久”——这正是存储股在基本面仍属健康状态下估值率先承压的典型路径。
长期协议未获估值重估，三星与SK海力士仍高于长期均值
存储厂商与下游客户签订的长期供应协议（LTA），是大摩三项核心判断中持中性立场的关键依据之一。市场并未因为这些协议的存在，而赋予行业显著更高的估值中枢。
这一逻辑有疫情期间的历史参照：长期协议并不天然消除周期风险。当价格和供需关系发生变化时，协议可能被重新谈判，或导致客户被动累库。结构性需求增强与传统周期波动可以并存，二者并不互斥。
从估值水平看，三星市净率约为1.7倍，SK海力士约为2.5倍，均已从近期高位明显回撤，但仍高于各自的长期均值。这一格局精准对应了中性判断的含义：行业并未被视为纯粹的周期股，但“AI重塑存储、估值全面重估”的叙事同样尚未成立。
HBM供给紧张仍是硬约束，商品DRAM与高端存储走向分化
供给结构的分化，正在为存储行业带来截然不同的两条供需逻辑。三星、SK海力士和美光将更多产能资源转向高带宽存储器（HBM），客观上为商品化DDR5留出了空间；但HBM本身的供给紧张局面并未因此得到缓解。
商品DRAM面临新增供给的追赶压力，高带宽存储器则仍受制于先进制程、先进封装和带宽能力等硬约束。两个市场正走向不同的供需均衡路径。
存储价格高企与带宽受限，也构成了新一轮存储创新的商业基础。大摩估算相关市场总可寻址规模约为250亿美元，覆盖围绕容量、带宽、功耗和系统架构展开的多条技术路径，而非单一芯片品类。设备端的长期需求则与EUV交付节奏密切相关，大摩预测ASML EUV出货量将从2027财年的92台升至2028财年的104台，对应先进逻辑和先进存储制造持续扩张的设备需求预期，但并不意味着所有存储厂商均能同步受益。
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